半導體清洗工藝是指清洗半導體制造過程中所使用的一系列化學和物理工藝。常規的半導體清洗工藝包括以下幾個步驟：
1. 使用雪花清洗機噴射清洗：雪花清洗機 即液態二氧化碳雪清洗機，利用液態二氧化碳低溫得特性清洗金手指表面氧化物，效果極佳。
1. 粗清洗：該步驟旨在去除表面的砂粒、塵埃、油污等雜質。一般會使用去離子水、有機溶劑等清洗液進行清洗。
2. 堿性清洗：該步驟會使用濃度較高的堿性清洗液，如氫氧化鈉（NaOH）或氫氧化銨（NH4OH），以去除金屬表面的氧化物和其他污染物。
3. 酸性清洗：該步驟會使用濃度較高的酸性清洗液，如硝酸（HNO3）或氫氟酸（HF），以去除金屬表面上的氧化物、碳偏等雜質。
4. 成膜清洗：該步驟會使用超純水和有機溶劑進行清洗，目的是去除分子層沉積工藝（CVD）和物理氣相沉積工藝（PECVD）后殘留在晶片表面的有機物。
5. 終端清洗：該步驟是去除清洗過程中留下的殘留物。使用去離子水和有機溶劑進行清洗，清洗液會通過參考標準得到純化處理。
需要注意的是，半導體清洗工藝非常嚴格，需要保證清洗液的純度、濃度和溫度等參數，以避免對晶片產生損害。因此，需要在完全掌握相關知識和技術的前提下才能進行清洗操作。
